Ученики лаборатории нанотехнологий Центра одарённых детей РШТ представили результаты исследований
Первое учебное полугодие подходит к завершению, а значит, пришло время подводить итоги. На этот раз результатами поделились ученики лаборатории нанотехнологий, которые работали под руководством Ярослава Зеленчукова.
Знакомство с нанотехнологиями
Ученики лаборатории нанотехнологий познакомились с основами этой необычной науки, а также изучили принципы работы современного лабораторного оборудования. В ходе практических занятий ребята научились работать с высокотехнологичными инструментами и в итоге получили карты распределения химических элементов с помощью сканирующего электронного микроскопа.
Исследование предметов быта
Одной из ключевых задач исследования стало изучение предметов бытового пользования на наличие редких металлов. Учащиеся провели анализ различных объектов, чтобы выявить потенциальное присутствие вредных химических соединений, с которыми мы сталкиваемся в повседневной жизни. Это исследование не только расширило их знания о химических элементах, но и повысило осведомленность о возможных рисках, связанных с контактами с определёнными материалами.
Изучение резистивного переключения в оксидных наноструктурах титана
В современном мире невозможно представить любое вычислительное устройство без оперативной памяти — элемента на основе транзисторов, в котором хранятся данные происходящих операций в системе. Однако такая память имеет ряд недостатков: ограничение в количестве загруженной и обрабатываемой информации и энергозависимость элемента, ведь для хранения информации требуется постоянная подача электрического тока, чтобы удерживать механическую створку открытой. Ученики РШТ предложили альтернативу — мемристор.
Мемристор
Ученики лаборатории нанотехнологий разработали техническое решение, которое позволит добиться в элементах электроники энергонезависимости при хранении информации. Это, в свою очередь, ускорит обработку данных, уменьшит потребление электроэнергии устройством и снизит износ отдельных элементов из-за перегрева. Ребята уже получили подтверждение свойств изменения проводимости, сопоставимых со свойствами транзистора, и не планируют останавливаться на достигнутом.
